В роботі проаналізовано фізичну модель контакту метал-напівпровідник з бар'єром Шоттки, співвідношення між напругою в металі, діелектричному зазорі та області просторового заряду напівпровідника. Приведено вирази для вольт-амперних характеристик та аналізи їх параметрів. Описано методику дослідження та експериментальну установку. Встановлено, що електрофізичні параметри досліджуваних контактів змінюються під дією атмосфери забрудненої парами водню. Ключові слова: носії заряду, контакт метал -напівпровідник, висота бар'єру, газовий сенсор, Microcal Origin 6.0.