В роботі проаналізовано фізичну модель контакту метал-напівпровідник з бар'єром Шоттки, співвідношення між напругою в металі, діелектричному зазорі та області просторового заряду напівпровідника. Приведено вирази для вольт-амперних характеристик та аналізи їх параметрів. Описано методику дослідження та експериментальну установку. Встановлено, що електрофізичні параметри досліджуваних контактів змінюються під дією атмосфери забрудненої парами метанолу та імпульсів напруги. Проаналізовано функціональні можливості та прийоми роботи з програмою Mathсad з метою проведення комп'ютерного дослідження фізичної моделі контакту метал-напівпровідник і опрацювання результатів експериментальних досліджень. Ключові слова: носії заряду, контакт метал -напівпровідник, висота бар'єру, газовий сенсор, Mathcad 2000.