Дипломна робота присвячена побудові теорії фізичних процесів перенесення у напівпровіднику n-типу провідності, які виникають у результаті власного поглинання світла та математичної модель для конкретного напівпровідника - кремнію. Дослідження показують, що на глибину дії лазера не впливають особливості поглинання світла. Результати роботи можна використати у подальших наукових дослідженнях, для передбачення глибини проникнення дії лазерного світла у напівпровідниках та розрахунку дії світла на напівпровідникові елементи. Ключові слова: напівнескінченний електронний напівпровідник, фототермічні методи дослідження речовин, власне об'ємне поглинання лазерного світла.