У роботі теоретично та експериментально досліджувались спектри модуляційного фотовідбивання епітаксійних плівок LT-GaAs, LT-(Ga,Mn)As. Теоретично досліджено функції, які описують спектри модуляційного фотовідбивання; експериментально отримано спектри модуляційного фотовідбивання для епітаксійних плівок LT-GaAs, LT-Ga0,992Mn0,008As, LT-Ga0,99Mn0,01As, LT-Ga0,98Mn0,02As та LT-Ga0,94Mn0,06As; засобами пакету MatLab апроксимовано експериментальні спектри відповідними теоретичними залежностями; проаналізовано отримані результати. Теоретична новизна роботи полягає у тому, що у ній отримано формули, які надають змогу спростити аналіз експериментальних спектрів модуляційного фотовідбивання. За допомогою отриманих формул, можна у певних випадках доволі точно визначати початкові параметри апроксимації таких спектрів. З іншого боку, новизною роботи стало експериментальне встановлення того, що енергія переходу ЕSO (енергія переходу з підзони спін-орбітально відщеплених дірок у зону провідності) становить приблизно 1,77 еВ та практично не залежить від вмісту марганцю в епітаксійних плівках LT-(Ga,Mn)As за його невеликого (до 6%) вмісту у них. Висловлено гіпотезу, яка може пояснювати такий експериментально встановлений факт. Ключові слова: модуляційна спектроскопія, фотовідбивання, модуляційне відбивання світла, модель Аспнеса, осциляції Франца-Келдиша, апроксимація, епітаксійні плівки, розбавлені напівпровідники, арсенід галію.